MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 80 V, ID 110 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 180-7418
- Referência do fabricante:
- SUM110P08-11L-E3
- Fabricante:
- Vishay
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- 180-7418
- Referência do fabricante:
- SUM110P08-11L-E3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0112Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 85nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 10.414 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 15.875mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0112Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 10.414 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 15.875mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TW
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal P, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 80V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 11,2mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 375W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Componente sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Interruptores adaptadores
• Interruptores primarios DC/DC
• Interruptores de carga
• Gestión de alimentación
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