MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SUM110P08-11L-E3, VDSS 80 V, ID 110 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 180-7977
- Referência do fabricante:
- SUM110P08-11L-E3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
7,72 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 1392 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 + | 3,86 € | 7,72 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 180-7977
- Referência do fabricante:
- SUM110P08-11L-E3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0112Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 85nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 10.414 mm | |
| Longitud | 15.875mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0112Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 10.414 mm | ||
Longitud 15.875mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal P, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 80V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 11,2mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 375W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Componente sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Interruptores adaptadores
• Interruptores primarios DC/DC
• Interruptores de carga
• Gestión de alimentación
Links relacionados
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 80 V, ID 110 A, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SUM110P06-08L-E3, VDSS 60 V, ID 110 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SUM110P06-07L-E3, VDSS 60 V, ID 110 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 110 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SUM90P10-19L-E3, VDSS 100 V, ID 90 A, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SUM55P06-19L-E3, VDSS 60 V, ID 55 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 100 V, ID 90 A, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 55 A, Mejora, TO-263 de 3 pines