MOSFET Vishay, N-Canal SUD25N15-52-E3, VDSS 150 V, ID 25 A, TO-252AA
- Código RS:
- 180-7416
- Referência do fabricante:
- SUD25N15-52-E3
- Fabricante:
- Vishay
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- Referência do fabricante:
- SUD25N15-52-E3
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | TO-252AA | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.052Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Anchura | 6.73mm | |
| Altura | 2.38mm | |
| Longitud | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado TO-252AA | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.052Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Anchura 6.73mm | ||
Altura 2.38mm | ||
Longitud 6.22mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TW
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 150V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 52mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 136W mW. Se puede utilizar en el interruptor de lado primario. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Componente sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• PWM optimizado
• MOSFET de potencia TrenchFET
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