MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 52 A, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 244-2909
- Referência do fabricante:
- AIMW120R045M1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 244-2909
- Referência do fabricante:
- AIMW120R045M1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 52A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 5.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 57nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.3mm | |
| Anchura | 21.5 mm | |
| Longitud | 16.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 52A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 5.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 57nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.3mm | ||
Anchura 21.5 mm | ||
Longitud 16.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Infineon AIMW120R045M1XKSA1 está diseñado específicamente para cumplir los altos requisitos exigidos por la industria de automoción en cuanto a fiabilidad, calidad y rendimiento. El aumento de la frecuencia de conmutación para un convertidor que utiliza MOSFET CoolSiC™ puede resultar en una reducción drástica del volumen y el peso de los componentes magnéticos hasta en un 25%, lo que produce un aumento significativo de los costes de la propia aplicación. La ganancia en rendimiento cumple con los nuevos estándares de regulación en términos de requisitos de mayor eficiencia para vehículos eléctricos.
Material semiconductor revolucionario: Carburo de silicio Pérdidas de conmutación muy bajas
Característica de estado de conexión sin umbral Tensión de accionamiento compatible con IGBT (15V V para conexión)
Tensión de puerta de desconexión de 0V V.
Tensión de umbral de puerta de referencia, VGS(th)=4,5V V.
dv/dt completamente controlable
Diodo de conmutación de cuerpo robusto, listo para rectificación síncrona Pérdidas de conmutación independientes de temperatura
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