MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 240 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- Código RS:
- 178-7609
- Referência do fabricante:
- NTA4001NT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
150,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Stock limitado
- Mais 3000 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,05 € | 150,00 € |
| 6000 + | 0,047 € | 141,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 178-7609
- Referência do fabricante:
- NTA4001NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 240mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | NTA4001N | |
| Encapsulado | SC-75 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±10 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300mW | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 0.9 mm | |
| Longitud | 1.65mm | |
| Altura | 0.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 240mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie NTA4001N | ||
Encapsulado SC-75 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±10 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300mW | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 0.9 mm | ||
Longitud 1.65mm | ||
Altura 0.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTA4001NT1G, VDSS 20 V, ID 240 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 915 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 760 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 150 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTA4153NT1G, VDSS 20 V, ID 915 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTA7002NT1G, VDSS 30 V, ID 150 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTA4151PT1G, VDSS 20 V, ID 760 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 760 mA, Mejora, SC-89 de 3 pines