MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 760 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- Código RS:
- 121-6301
- Referência do fabricante:
- NTA4151PT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
144,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 54.000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,048 € | 144,00 € |
| 9000 + | 0,047 € | 141,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 121-6301
- Referência do fabricante:
- NTA4151PT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 760mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | NTA | |
| Encapsulado | SC-75 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -6V, +6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 1.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 900μm | |
| Altura | 800μm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 760mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie NTA | ||
Encapsulado SC-75 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -6V, +6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 1.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 900μm | ||
Altura 800μm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTA4151PT1G, VDSS 20 V, ID 760 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 760 mA, Mejora, SC-89 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTE4151PT1G, VDSS 20 V, ID 760 mA, Mejora, SC-89 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI1077X-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 760 mA, Mejora, SC-89 de 6 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 915 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 240 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 150 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 1.3 A, Mejora, SC-70 de 3 pines