MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCMT250N65S3, VDSS 650 V, ID 12 A, Mejora, Power88 de 4 pines
- Código RS:
- 178-4657
- Referência do fabricante:
- FCMT250N65S3
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 178-4657
- Referência do fabricante:
- FCMT250N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | Power88 | |
| Serie | FCMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 250mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 90W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 8 mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Longitud | 8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado Power88 | ||
Serie FCMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 250mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 90W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 8 mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Longitud 8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
700 V @ TJ = 150 oC
Leadless Ultra-thin SMD package
Kelvin contact
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 24 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 248 pF)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 210 mΩ
Moisture Sensitivity Level 1 guarantee
Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
High power density
Low gate noise and switching loss
Low switching loss
Low switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Telecommunication
Industrial
End Products:
Telecom / Server
Adapter
LED Lighting
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