MOSFET Vishay Siliconix, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 6 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Código RS:
178-3726
Referência do fabricante:
SQS944ENW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay Siliconix

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.82V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

27.8W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.07mm

Longitud

3.15mm

Anchura

3.15 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
CN
MOSFET de potencia TrenchFET®

Links relacionados