MOSFET Vishay Siliconix, N-Canal SQS966ENW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 6 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 178-3727
- Referência do fabricante:
- SQS966ENW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1 290,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Envio a partir do dia 31 de maio de 2027
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,43 € | 1 290,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 178-3727
- Referência do fabricante:
- SQS966ENW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay Siliconix | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 27.8W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.07mm | |
| Longitud | 3.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.15mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay Siliconix | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 27.8W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.07mm | ||
Longitud 3.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.15mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- CN
Links relacionados
- MOSFET Vishay Siliconix, Tipo N-Canal SQS966ENW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 6 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET Vishay Siliconix, Tipo N-Canal SQS944ENW-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 6 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix SiSS12DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 60 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 14.2 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS414CENW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS462EN-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS484CENW-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 16 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQSA12CENW-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines