MOSFET Vishay Siliconix, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 6 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1 290,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,43 €1 290,00 €

*preço indicativo

Código RS:
178-3727
Referência do fabricante:
SQS966ENW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay Siliconix

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.1nC

Tensión directa Vf

0.82V

Disipación de potencia máxima Pd

27.8W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.07mm

Longitud

3.15mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
CN
MOSFET de potencia TrenchFET®

Links relacionados