MOSFET, Tipo P-Canal Vishay IRF9610PBF, VDSS 200 V, ID 1.8 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
178-0837
Referência do fabricante:
IRF9610PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

IRF

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

-5.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.41mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

9.01mm

Estándar de automoción

No

La tecnología MOSFET de potencia Vishay es la clave de la línea Advanced de transistores MOSFET de potencia. La geometría eficiente y el procesamiento único del diseño de MOSFET de potencia logran una resistencia de estado de conexión muy baja combinada con alta transconductancia y resistencia extrema del dispositivo. El encapsulado TO-220AB es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 W.

Valor nominal de dv/dt dinámico

Fácil conexión en paralelo

Requisitos de accionamiento sencillos

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