MOSFET, N-Canal Microchip TN2540N8-G, VDSS 400 V, ID 260 mA, Mejora, TO-243 de 3 pines
- Código RS:
- 177-9854
- Referência do fabricante:
- TN2540N8-G
- Fabricante:
- Microchip
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
12,67 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 29 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 + | 1,267 € | 12,67 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 177-9854
- Referência do fabricante:
- TN2540N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 260mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Serie | TN2540 | |
| Encapsulado | TO-243 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 2.6mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 4.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 260mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Serie TN2540 | ||
Encapsulado TO-243 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 2.6mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 4.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) y umbral bajo utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Umbral bajo (2,0 V máx.)
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada (125 pF máx.)
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 400 V, ID 260 mA, Mejora, TO-243 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip, VDSS 400 V, ID 125 mA, Mejora, TO-243 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip TP2540N8-G, VDSS 400 V, ID 125 mA, Mejora, TO-243 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 400 V, ID 170 mA, Reducción, TO-243 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Microchip DN2540N8-G, VDSS 400 V, ID 170 mA, Reducción, TO-243 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 500 V, ID 30 mA, Reducción, TO-243 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Microchip LND150N8-G, VDSS 500 V, ID 30 mA, Reducción, TO-243 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 400 V, ID 175 A, Mejora, TO-92 de 3 pines