MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 14 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2592
- Referência do fabricante:
- IRF9530NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
314,40 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 3200 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,393 € | 314,40 € |
| 1600 - 1600 | 0,373 € | 298,40 € |
| 2400 + | 0,349 € | 279,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 215-2592
- Referência do fabricante:
- IRF9530NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 200mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 79W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 200mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 79W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El HEXFET Infineon de quinta generación de International Rectifier utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja para el área de silicio. Estas ventajas, combinadas con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce el MOSFET de potencia HEXFET, proporcionan un dispositivo de nivel suficiente para, proporcionan a los diseñadores un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El D2pack es un encapsulado de alimentación de montaje en superficie capaz de alojar tamaños de matriz hasta HEX-4. Proporciona la mayor capacidad de potencia y la menor resistencia de conexión posible en cualquier encapsulado de montaje en superficie existente. El D2pack es adecuado para aplicaciones de alta corriente gracias a su baja resistencia de conexión interna y puede disipar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje en superficie típica.
Tecnología de procesos avanzados
Valor nominal de avalancha total
Conmutación rápida
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF9530NSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 14 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80R290C3AATMA2, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80P04P4L06ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80P04P4L08ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-263