MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCP190N65S3, VDSS 650 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
172-4632
Referência do fabricante:
FCP190N65S3
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Serie

SuperFET II

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

144W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.67mm

Anchura

4.7 mm

Altura

16.3mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.

700 V a TJ = 150 oC

Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento

Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 30 nC)

Menor pérdida de conmutación

Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 277 pF)

Menor pérdida de conmutación

Capacitancia optimizada

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Resistencia de compuerta interna: 7,0 ohmios

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Típ. RDS(on) = 170 mΩ

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