Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 65 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Código RS:: 172-3422
Referência do fabricante:: FCH040N65S3-F155
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 65 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:: 172-3422
Referência do fabricante:: FCH040N65S3-F155
Fabricante:: onsemi

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	65A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Serie	FCH040N65S3
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	40mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	136nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Disipación de potencia máxima Pd	417W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	15.87mm
	Altura	20.82mm
	Anchura	4.82 mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 65A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Serie FCH040N65S3
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 136nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Disipación de potencia máxima Pd 417W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 15.87mm
	Altura 20.82mm
	Anchura 4.82 mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.

700 V a TJ = 150 oC

Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento

Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 78 nC)

Menor pérdida de conmutación

Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 715 pF)

Menor pérdida de conmutación

Capacitancia optimizada

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Típ. RDS(on) = 62 mΩ

Garantía de soldadura por ola

Informática

Telecomunicaciones

Industriales

Telecomunicaciones / Servidor

Inversor solar / SAI

EVC

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 65 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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