MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCH067N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
172-4624
Referência do fabricante:
FCH067N65S3-F155
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

44A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

FCH067N65S3

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

67mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

78nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

312W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.87mm

Anchura

4.82 mm

Altura

20.82mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.

700 V a TJ = 150 oC

Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento

Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 78 nC)

Menor pérdida de conmutación

Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 715 pF)

Menor pérdida de conmutación

Capacitancia optimizada

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Típ. RDS(on) = 62 mΩ

Garantía de soldadura por ola

Informática

Telecomunicaciones

Industriales

Telecomunicaciones / Servidor

Inversor solar / SAI

EVC

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