Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCH067N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Código RS:: 172-4624
Referência do fabricante:: FCH067N65S3-F155
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCH067N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:: 172-4624
Referência do fabricante:: FCH067N65S3-F155
Fabricante:: onsemi

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	44A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Serie	FCH067N65S3
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	67mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	312W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	78nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	15.87mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4.82 mm
	Altura	20.82mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 44A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Serie FCH067N65S3
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 67mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 312W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 78nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 15.87mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4.82 mm
	Altura 20.82mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.

700 V a TJ = 150 oC

Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento

Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 78 nC)

Menor pérdida de conmutación

Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 715 pF)

Menor pérdida de conmutación

Capacitancia optimizada

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Típ. RDS(on) = 62 mΩ

Garantía de soldadura por ola

Informática

Telecomunicaciones

Industriales

Telecomunicaciones / Servidor

Inversor solar / SAI

EVC

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCH067N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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