MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 26 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 172-3322
- Referência do fabricante:
- NVMFD5C680NLWFT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*
1 075,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
- Envio a partir do dia 29 de junho de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,717 € | 1 075,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 172-3322
- Referência do fabricante:
- NVMFD5C680NLWFT1G
- Fabricante:
- onsemi
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | NVMFD5C680NL | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 1.05mm | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie NVMFD5C680NL | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 1.05mm | ||
Anchura 5.1 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Links relacionados
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal NVMFD5C680NLWFT1G, VDSS 60 V, ID 26 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 26 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal NVMFD5C680NLT1G, VDSS 60 V, ID 26 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 84 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 49 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 36 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 111 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 52 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble