MOSFET onsemi, Tipo N-Canal NVMFD5C680NLT1G, VDSS 60 V, ID 26 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
172-3375
Referência do fabricante:
NVMFD5C680NLT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

26A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

NVMFD5C680NL

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

41mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

19W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1.05mm

Longitud

6.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.1 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.

Tamaño pequeño (5x6 mm)

Diseño compacto

Baja rDS(on)

Minimiza pérdidas de conducción

Baja QG y capacitancia

Minimiza las pérdidas de controlador

NVMFD5C446NLWF − Opción de flanco sumergible

Inspección óptica mejorada

Capacidad PPAP

Aplicaciones

Driver de solenoide

Controlador de lado bajo / lado alto

Controladores de motor de automoción

Sistemas de frenado antibloqueo

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