MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 4 pines

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Código RS:
171-3617
Referência do fabricante:
TSM230N06CP ROG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
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Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

28mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Disipación de potencia máxima Pd

53W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.5mm

Altura

2.3mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

IEC 61249

El MOSFET de potencia de canal N de 60V, 50A, 28mΩ, 3 contactos Taiwan Semiconductor tiene una configuración de transistor único y modo de canal de mejora.

100 % a prueba de avalancha

Conmutación rápida

En conformidad con RoHS

La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y +150 °C.

Disipación de potencia máxima de 53W mW

La tensión de umbral de puerta oscila entre 1,2V V y 2,5V V.

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