MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM090N03CP ROG, VDSS 30 V, ID 55 A, Mejora, TO-252 de 4 pines

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Código RS:
171-3608
Referência do fabricante:
TSM090N03CP ROG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
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Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.5nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

40W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.5mm

Altura

2.3mm

Estándar de automoción

IEC 61249

El MOSFET de potencia de canal N con contacto de lengüeta 3, 55A V y 30V A Taiwan Semiconductor tiene una configuración de transistor único y modo de canal de mejora.

En conformidad con RoHS

Temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C.

Disipación de potencia máxima de 40W mW

La tensión de umbral de puerta oscila entre 1V V y 2,5V V.

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