Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TPN2R304PL, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TSON de 8 pines

Código RS:: 171-2390
Referência do fabricante:: TPN2R304PL
Fabricante:: Toshiba

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TPN2R304PL, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TSON de 8 pines

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Código RS:: 171-2390
Referência do fabricante:: TPN2R304PL
Fabricante:: Toshiba

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Toshiba
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	TSON
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	41nC
	Disipación de potencia máxima Pd	104W
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	3.1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	0.85mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Toshiba
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado TSON
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC
	Disipación de potencia máxima Pd 104W
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 3.1mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 0.85mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

Estado RoHS: Não aplicável

Convertidores dc-dc de alta eficiencia

Reguladores de tensión de conmutación

Controladores para motor

Conmutación de alta velocidad

Carga de puerta pequeña: QSW = 10,8 nC (típ.)

Carga de salida pequeña: Qoss = 27 nC (típ.)

Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 1,8 mΩ (típ) (VGS = 10 V)

Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 40 V)

Modo de mejora: Vth = 1,4 a 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)

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