MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 65 A, Mejora, TSON de 8 pines
- Código RS:
- 171-2206
- Referência do fabricante:
- TPN14006NH,L1Q(M
- Fabricante:
- Toshiba
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- Código RS:
- 171-2206
- Referência do fabricante:
- TPN14006NH,L1Q(M
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 65A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 30W | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Altura | 0.85mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 65A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 30W | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.1mm | ||
Altura 0.85mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não aplicável
Reguladores de tensión de conmutación
Controladores para motor
Convertidores dc-dc
Conmutación de alta velocidad
Carga de puerta pequeña: QSW = 5,5 nC (típ.)
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 11 mΩ (típ)
Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 60 V)
Modo de mejora: Vth = 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)
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