MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD200N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 5 pines
- Código RS:
- 171-1945
- Referência do fabricante:
- IPD200N15N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 171-1945
- Referência do fabricante:
- IPD200N15N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | IPD200N15N3 G | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 9.45 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.57mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie IPD200N15N3 G | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 9.45 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.57mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IPD200N15N3 G es 150V OptiMOS logra una reducción en R DS(on) del 40% y del 45% en la cifra de mérito (FOM) en comparación con el siguiente mejor competidor. Esta drástica mejora abre nuevas posibilidades como cambiar de encapsulados con cable a encapsulados SMD o reemplazar dos piezas antiguas con una pieza OptiMOS.
Excelente rendimiento de conmutación
R DS(on) más bajo del mundo
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