MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD530N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 21 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 15 unidades)*

15,285 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 11.445 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
15 - 601,019 €15,29 €
75 - 1350,967 €14,51 €
150 - 3600,927 €13,91 €
375 - 7350,887 €13,31 €
750 +0,825 €12,38 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
214-4381
Referência do fabricante:
IPD530N15N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

53mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.35mm

Longitud

6.65mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon OptiMOS 3 es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Está calificado según JEDEC para la aplicación de destino

No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.