MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD530N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 21 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4381
- Referência do fabricante:
- IPD530N15N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 15 unidades)*
16,515 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 480 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,101 € | 16,52 € |
| 75 - 135 | 1,045 € | 15,68 € |
| 150 - 360 | 1,001 € | 15,02 € |
| 375 - 735 | 0,957 € | 14,36 € |
| 750 + | 0,892 € | 13,38 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-4381
- Referência do fabricante:
- IPD530N15N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 53mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.65mm | |
| Altura | 2.35mm | |
| Anchura | 6.42mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 53mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.65mm | ||
Altura 2.35mm | ||
Anchura 6.42mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon OptiMOS 3 es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Está calificado según JEDEC para la aplicación de destino
No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 21 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 21 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDD2582, VDSS 150 V, ID 21 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 5 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 21 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 21 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-252