MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 20.7 A, Mejora, TO-220 de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

7,56 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 28 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
  • Mais 116 unidade(s) para enviar a partir do dia 27 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 83,78 €7,56 €
10 - 183,595 €7,19 €
20 - 483,235 €6,47 €
50 - 982,91 €5,82 €
100 +2,76 €5,52 €

*preço indicativo

Código RS:
171-1920
Número do artigo Distrelec:
304-30-528
Referência do fabricante:
SPA20N60C3XKSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SPA20N60C3

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

34.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

87nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.65mm

Anchura

4.85 mm

Altura

16.15mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

mosfet infineon


El MOSFET de canal N de montaje en orificio pasante Infineon TO-220FP-3 es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 190mohm a una tensión de fuente de compuerta de 10V. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 20,7 A. Tiene una tensión máxima de fuente de compuerta de 20V y una tensión de fuente de drenaje de 600V. Tiene una capacidad de disipación de potencia máxima de 34,5W. El MOSFET tiene una tensión de conducción de 10V. Se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Facilidad de uso

• calidad probada en campo de CoolMOM

• Alta eficiencia y densidad de potencia

• Alta capacidad de Peak Current

• Alta fiabilidad

• Transconductancia Mejorada

• Sin Plomo (Pb)

• carga de compuerta baja (Qg)

• Baja resistencia específica al estado

• rango de temperaturas de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C.

• excelente costo/desempeño

• avalancha Periódica

• carga de punto de inyección ultra bajo

• almacenamiento de muy poca energía en capacitancia de salida (Eoss) 400V

Aplicaciones


• Adaptador

• Alimentación del PC

• fuentes de alimentación del servidor

• Telecomunicaciones

Certificaciones


• ANSI/ESD S20.20:2014

• bs en 61340-5-1:2007

• JEDEC

Links relacionados