MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 8.2 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 170-9039
- Referência do fabricante:
- DMC3026LSD-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
485,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
- Envio a partir do dia 30 de julho de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,194 € | 485,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 170-9039
- Referência do fabricante:
- DMC3026LSD-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 29mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Longitud | 4.95mm | |
| Certificaciones y estándares | MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020 | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 3.95 mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 29mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Longitud 4.95mm | ||
Certificaciones y estándares MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020 | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 3.95 mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Links relacionados
- MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal DMC3026LSD-13, VDSS 30 V, ID 8.2 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 7.6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 10.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 7.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal DMC4040SSD-13, VDSS 40 V, ID 7.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 8.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal, VDSS 40 V, ID 5.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 3.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado