MOSFET de trinchera Nexperia, N-Canal, VDSS 30 V, ID 180 mA, TSSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
170-4878
Referência do fabricante:
NX3020NAKS,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de trinchera

Corriente continua máxima de drenaje ld

180mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

NX3020NAKS

Encapsulado

TSSOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.26nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.1W

Temperatura de funcionamiento máxima

+150°C

Configuración de transistor

Doble

Longitud

2.2mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.35mm

Altura

1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
Interfaz robusta entre sistemas asíncronos y síncronos. Los biestables son elementos de almacenamiento básicos en la electrónica digital. Puesto que solo permiten la salida para cambiar en una transición de borde, los biestables proporcionan una interfaz robusta entre sistemas asíncronos y síncronos. Con una elección de opciones de activación de borde positivo o negativo, proporcionan mayor flexibilidad de diseño.

Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N doble en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT363 (SC-88) muy pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.

Conmutación muy rápida

Tecnología MOSFET Trench

Protección contra ESD.

Baja tensión de umbral

Aplicaciones de destino

Controlador de relé

Controlador de línea de alta velocidad

Interruptor de carga de lado bajo

Circuitos de conmutación

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