MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 180 mA, TSSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

135,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 03 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,045 €135,00 €

*preço indicativo

Código RS:
170-4878
Referência do fabricante:
NX3020NAKS,115
Fabricante:
Nexperia
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de trinchera

Corriente continua máxima de drenaje ld

180mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TSSOP

Serie

NX3020NAKS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.26nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.35 mm

Longitud

2.2mm

Altura

1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
Interfaz robusta entre sistemas asíncronos y síncronos. Los biestables son elementos de almacenamiento básicos en la electrónica digital. Puesto que solo permiten la salida para cambiar en una transición de borde, los biestables proporcionan una interfaz robusta entre sistemas asíncronos y síncronos. Con una elección de opciones de activación de borde positivo o negativo, proporcionan mayor flexibilidad de diseño.

Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N doble en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT363 (SC-88) muy pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.

Conmutación muy rápida

Tecnología MOSFET Trench

Protección contra ESD.

Baja tensión de umbral

Aplicaciones de destino

Controlador de relé

Controlador de línea de alta velocidad

Interruptor de carga de lado bajo

Circuitos de conmutación

Links relacionados