MOSFET International Rectifier IRF7424TRPBF, VDSS 30 V, ID 11 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

El Infineon IRF7424 es un MOSFET de potencia HEXFET de canal P sencillo de 30V V en un encapsulado SO-8. EL SO-8 se ha modificado a través de un bastidor de cable personalizado para mejorar las características térmicas y la capacidad de matriz múltiple, lo que lo convierte en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia.

En conformidad con RoHS
Calidad líder del sector
Configuración de contactos estándar del sector
MOSFET de canal P.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.