MOSFET de potencia, Tipo P-Canal International Rectifier, VDSS 30 V, ID 11 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 170-2272
- Referência do fabricante:
- IRF7424TRPBF
- Fabricante:
- International Rectifier
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- Código RS:
- 170-2272
- Referência do fabricante:
- IRF7424TRPBF
- Fabricante:
- International Rectifier
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | International Rectifier | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | IRF7424PbF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 75nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca International Rectifier | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie IRF7424PbF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 75nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não aplicável
El Infineon IRF7424 es un MOSFET de potencia HEXFET de canal P sencillo de 30V V en un encapsulado SO-8. EL SO-8 se ha modificado a través de un bastidor de cable personalizado para mejorar las características térmicas y la capacidad de matriz múltiple, lo que lo convierte en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia.
En conformidad con RoHS
Calidad líder del sector
Configuración de contactos estándar del sector
MOSFET de canal P.
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