MOSFET International Rectifier IRLML2502TRPBF, VDSS 20 V, ID 4,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo de 20 V en encapsulado Micro 3

Configuración de contactos estándar de la industria, encapsulado SOT-23
Compatible con técnicas de montaje en superficie existentes Sin halógenos
Compatibilidad con varios proveedores
Fabricación más sencilla
Respetuosa con el medio ambiente
Mayor fiabilidad

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.