MOSFET, Tipo N-Canal International Rectifier, VDSS 20 V, ID 4.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal 200 unidades (fornecido em bobina)*

32,60 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 75.460 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
200 - 4800,163 €
500 - 9800,152 €
1000 - 19800,098 €
2000 +0,077 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
162-3304P
Referência do fabricante:
IRLML2502TRPBF
Fabricante:
International Rectifier
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

International Rectifier

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

IRLML2502

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.25W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.02mm

Anchura

1.4 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não conforme

MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo de 20 V en encapsulado Micro 3

Configuración de contactos estándar de la industria, encapsulado SOT-23

Compatible con técnicas de montaje en superficie existentes Sin halógenos

Compatibilidad con varios proveedores

Fabricación más sencilla

Respetuosa con el medio ambiente

Mayor fiabilidad

Links relacionados