MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 5.2 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 168-8747
- Referência do fabricante:
- IRLL2705TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 168-8747
- Referência do fabricante:
- IRLL2705TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -16, +16V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.739mm | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -16, +16V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.739mm | ||
Longitud 6.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 5,2A, disipación de potencia máxima de 2,1W - IRLL2705TRPBF
Este MOSFET de alto rendimiento está diseñado para una gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones. Con una configuración de canal N, proporciona una excelente capacidad de conmutación, por lo que es adecuado para tareas que requieren una respuesta rápida y una pérdida de energía mínima. Este componente mejora la eficacia y fiabilidad de los circuitos electrónicos, especialmente en sistemas de automatización y control.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua máxima de 5,2 A
• Tensión nominal de la fuente de drenaje de 55 V
• Bajo Rds(on) de 65mΩ para un funcionamiento eficiente
• Encapsulado compacto SOT-223 para diseños que ahorran espacio
Aplicaciones
• Ideal para circuitos de alimentación
• Utilizado en sistemas de gestión de energía para automóviles
• Utilizados habitualmente para la conmutación en circuitos de alta frecuencia
• Se integra bien en inversores de potencia para sistemas de energías renovables
¿Cuál es la tensión máxima que puede soportar este componente?
El producto admite una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, lo que permite un rendimiento sólido en diversas aplicaciones.
¿Puede funcionar a altas temperaturas?
Sí, está clasificado para una temperatura máxima de funcionamiento de +150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en entornos difíciles.
¿Cómo gestiona este componente el calor durante el funcionamiento?
Con una disipación de potencia máxima de 2,1 W, gestiona eficazmente el rendimiento térmico, reduciendo el riesgo de sobrecalentamiento.
¿Es compatible con los diseños de PCB estándar?
Este componente es apto para la tecnología de montaje en superficie, lo que permite integrarlo fácilmente en diseños de PCB estándar.
¿Por qué es una opción adecuada para los proyectos de automatización?
Su rápida capacidad de conmutación y su baja resistencia a la conexión contribuyen a un importante ahorro de energía, mejorando la eficiencia de los sistemas automatizados.
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