MOSFET de potencia FDmesh II, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- Código RS:
- 168-7567
- Referência do fabricante:
- STF11NM60ND
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
133,80 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 100 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 2,676 € | 133,80 € |
| 250 + | 2,601 € | 130,05 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 168-7567
- Referência do fabricante:
- STF11NM60ND
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia FDmesh II | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Serie | FDmesh | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.45Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 90W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 16.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.6mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia FDmesh II | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Serie FDmesh | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.45Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 90W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 16.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.6mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia FDmesh™ de canal N, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET de potencia FDmesh II, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF11NM60ND, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220FP de 3
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 5.2 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 8 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF15N65M5, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP7NK80ZFP, VDSS 800 V, ID 5.2 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines