MOSFET de potencia FDmesh II, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF11NM60ND, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220FP de 3
- Código RS:
- 761-2745
- Referência do fabricante:
- STF11NM60ND
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
4,72 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 170 unidade(s) a partir do dia 27 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 1 | 4,72 € |
| 2 + | 4,48 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 761-2745
- Referência do fabricante:
- STF11NM60ND
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia FDmesh II | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | FDmesh | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.45Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 90W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 16.4mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia FDmesh II | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie FDmesh | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.45Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 90W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 16.4mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia FDmesh™ de canal N, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET de potencia FDmesh II, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 6 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 950 V, ID 9 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 500 V, ID 21 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF13NM60N, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF9NK90Z, VDSS 900 V, ID 8 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF6N95K5, VDSS 950 V, ID 9 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines