MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 168-7533
- Referência do fabricante:
- STW34NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
147,24 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 30 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | 4,908 € | 147,24 € |
| 90 - 480 | 4,069 € | 122,07 € |
| 510 - 960 | 3,593 € | 107,79 € |
| 990 + | 3,122 € | 93,66 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 168-7533
- Referência do fabricante:
- STW34NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 29A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | MDmesh | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 105mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 84nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 210W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 20.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 29A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie MDmesh | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 105mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 84nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 210W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.75mm | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 20.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW34NM60N, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW34NM60ND, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW60R120P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHG30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG105N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines