MOSFET, N-Canal Infineon IPW60R120P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2587
- Referência do fabricante:
- IPW60R120P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
24,96 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 4,992 € | 24,96 € |
| 10 - 20 | 4,192 € | 20,96 € |
| 25 - 45 | 3,946 € | 19,73 € |
| 50 - 120 | 3,644 € | 18,22 € |
| 125 + | 3,394 € | 16,97 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 217-2587
- Referência do fabricante:
- IPW60R120P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 29A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 120mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 95W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 41.42mm | |
| Longitud | 6.13mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.21mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 29A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 120mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 95W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 41.42mm | ||
Longitud 6.13mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.21mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 SuperJunction (SJ) 600V es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)
Resistencia de puerta R G integrada
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STW34NM60ND, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STW34NM60N, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SiHG30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIHG105N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines