MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 168-6013
Referência do fabricante:: IRFS4020TRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*

675,20 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

Fora de stock temporariamente

Envio de 800 unidade(s) a partir do dia 01 de abril de 2026

Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)	Por unidade	Por Bobina*
800 - 800	0,844 €	675,20 €
1600 +	0,802 €	641,60 €

*preço indicativo

Código RS:: 168-6013
Referência do fabricante:: IRFS4020TRLPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	18A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	200V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	105mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	100W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	18nC
	Tensión directa Vf	1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	4.83 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.67mm
	Altura	9.65mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 18A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 105mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 100W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC
	Tensión directa Vf 1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 4.83 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.67mm
	Altura 9.65mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 18 A, disipación de potencia máxima de 100 W - IRFS4020TRLPBF

Este MOSFET está diseñado para un rendimiento optimizado en aplicaciones de amplificadores de audio de clase D. Las avanzadas técnicas de procesamiento reducen la resistencia a la conexión y mejoran la eficiencia, la distorsión armónica total (THD) y las interferencias electromagnéticas (EMI). Puede funcionar eficazmente a temperaturas elevadas, por lo que es adecuado para diversos entornos.

Características y ventajas

• Diseñado para amplificación de audio de clase D de alta eficiencia

• La baja Rds(on) mejora la eficiencia general

• Temperatura de unión operativa de hasta 175°C que garantiza su robustez

• La capacidad de avalancha repetitiva protege contra los picos de tensión

Aplicaciones

• Se utiliza en amplificadores de audio de clase D para mejorar la calidad del sonido

• Ideal para alimentación de alta corriente

• Adecuado para equipos de audio profesionales y de consumo

• Empleado en sistemas de audio de alto rendimiento para automóviles

¿Cuál es la corriente de drenaje continua máxima?

El dispositivo puede manejar una corriente de drenaje continua máxima de 18 A a 25 °C.

¿Este aparato puede funcionar a altas temperaturas?

Sí, está diseñado para funcionar eficazmente a temperaturas de hasta 175 °C.

¿En qué configuraciones puede utilizarse?

Es adecuado para configuraciones de medio puente en amplificadores de audio, proporcionando potencias significativas.

¿Cómo afecta al rendimiento una carga de puerta baja?

La baja carga de puerta aumenta la eficiencia y reduce el tiempo de encendido, mejorando así el rendimiento general del amplificador.

¿Es compatible con la tecnología de montaje en superficie?

Sí, este dispositivo está empaquetado en un factor de forma D2PAK, que es ideal para aplicaciones de montaje en superficie.