MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 165-5658
Referência do fabricante:: IRF640NSTRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:: 165-5658
Referência do fabricante:: IRF640NSTRLPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	18A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	200V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	150mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	67nC
	Disipación de potencia máxima Pd	150W
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	10.67mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	4.83mm
	Anchura	9.65 mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 18A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 67nC
	Disipación de potencia máxima Pd 150W
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 10.67mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 4.83mm
	Anchura 9.65 mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 18 A, disipación de potencia máxima de 150 W - IRF640NSTRLPBF

Este MOSFET es esencial para la gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones, controlando el flujo de corriente eléctrica en los circuitos para garantizar el rendimiento y la fiabilidad. Sus robustas especificaciones lo hacen especialmente adecuado para la automatización y los sistemas electrónicos de la electrónica contemporánea.

Características y ventajas

• La configuración de canal N admite el funcionamiento en modo de mejora

• Corriente de drenaje continua máxima de 18 A

• Tensión pico de drenaje-fuente de 200 V para diversas aplicaciones

• Encapsulado D2PAK diseñado para montaje en superficie

• La baja Rds(on) de 150mΩ reduce la pérdida de energía durante el funcionamiento

• Alta temperatura máxima de funcionamiento de +175°C para diversos entornos

Aplicaciones

• Gestión de la energía en la electrónica del automóvil

• Fuentes de alimentación industriales para sistemas de automatización

• Control del motor en diferentes sectores

• Sistemas de energías renovables para la conversión de energía

• Diseños de inversores de alta frecuencia

¿Cuál es la tensión de drenaje-fuente máxima?

La tensión nominal máxima de drenaje-fuente es de 200 V, lo que proporciona flexibilidad para aplicaciones de alta tensión.

¿Cómo se gestiona la disipación del calor durante el funcionamiento?

Este MOSFET ofrece una capacidad de disipación de potencia de 150 W, y el diseño de su encapsulado favorece la gestión eficaz del calor bajo cargas elevadas.

¿Qué implicaciones tiene el rango de tensión umbral de puerta?

Con una tensión umbral de puerta máxima de 4 V y mínima de 2 V, ofrece a los ingenieros una gama versátil para aplicaciones de conmutación.

¿Puede utilizarse este componente en configuraciones paralelas?

Sí, se puede poner en paralelo fácilmente debido a su baja resistencia a la conexión, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta corriente.

¿Cómo debe soldarse para obtener un rendimiento óptimo?

La temperatura de soldadura no debe superar los 300°C durante 10 segundos para garantizar una instalación correcta sin dañar el MOSFET.