MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5658
- Referência do fabricante:
- IRF640NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-5658
- Referência do fabricante:
- IRF640NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 67nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 67nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 9.65mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 18 A, disipación de potencia máxima de 150 W - IRF640NSTRLPBF
Este MOSFET es esencial para la gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones, controlando el flujo de corriente eléctrica en los circuitos para garantizar el rendimiento y la fiabilidad. Sus robustas especificaciones lo hacen especialmente adecuado para la automatización y los sistemas electrónicos de la electrónica contemporánea.
Características y ventajas
• La configuración de canal N admite el funcionamiento en modo de mejora
• Corriente de drenaje continua máxima de 18 A
• Tensión pico de drenaje-fuente de 200 V para diversas aplicaciones
• Encapsulado D2PAK diseñado para montaje en superficie
• La baja Rds(on) de 150mΩ reduce la pérdida de energía durante el funcionamiento
• Alta temperatura máxima de funcionamiento de +175°C para diversos entornos
Aplicaciones
• Gestión de la energía en la electrónica del automóvil
• Fuentes de alimentación industriales para sistemas de automatización
• Control del motor en diferentes sectores
• Sistemas de energías renovables para la conversión de energía
• Diseños de inversores de alta frecuencia
¿Cuál es la tensión de drenaje-fuente máxima?
La tensión nominal máxima de drenaje-fuente es de 200 V, lo que proporciona flexibilidad para aplicaciones de alta tensión.
¿Cómo se gestiona la disipación del calor durante el funcionamiento?
Este MOSFET ofrece una capacidad de disipación de potencia de 150 W, y el diseño de su encapsulado favorece la gestión eficaz del calor bajo cargas elevadas.
¿Qué implicaciones tiene el rango de tensión umbral de puerta?
Con una tensión umbral de puerta máxima de 4 V y mínima de 2 V, ofrece a los ingenieros una gama versátil para aplicaciones de conmutación.
¿Puede utilizarse este componente en configuraciones paralelas?
Sí, se puede poner en paralelo fácilmente debido a su baja resistencia a la conexión, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta corriente.
¿Cómo debe soldarse para obtener un rendimiento óptimo?
La temperatura de soldadura no debe superar los 300°C durante 10 segundos para garantizar una instalación correcta sin dañar el MOSFET.
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