MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
168-5982
Referência do fabricante:
IRF9362TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

32mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon


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