MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDY3000NZ, VDSS 20 V, ID 600 mA, SC-89-6, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 166-1809
- Referência do fabricante:
- FDY3000NZ
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 166-1809
- Referência do fabricante:
- FDY3000NZ
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 600mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SC-89-6 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 700mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12, -12V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Altura | 0.5mm | |
| Longitud | 1.6mm | |
| Anchura | 1.2mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 600mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SC-89-6 | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 700mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12, -12V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Altura 0.5mm | ||
Longitud 1.6mm | ||
Anchura 1.2mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® de ON Semis son conmutadores de potencia optimizados que ofrecen una mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de puerta pequeña, una recuperación inversa pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación ac/dc.
El rendimiento de diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de tensión nominal superior.
Transistores MOSFET, ON Semi
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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
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