MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 2.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 166-1613
- Referência do fabricante:
- FDN8601
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
666,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 18 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,222 € | 666,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 166-1613
- Referência do fabricante:
- FDN8601
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 183mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 1.4mm | |
| Altura | 0.94mm | |
| Anchura | 2.92 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 183mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 1.4mm | ||
Altura 0.94mm | ||
Anchura 2.92 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDN8601, VDSS 100 V, ID 2.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 2.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDN359AN, VDSS 30 V, ID 2.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDN359BN, VDSS 30 V, ID 2.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 2.7 A, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDC6305N, VDSS 20 V, ID 2.7 A, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 2.7 A, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal FDC6327C, VDSS 20 V, ID 2.7 A, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado