MOSFET, N-Canal onsemi FDN8601, VDSS 100 V, ID 2.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 759-9651
- Referência do fabricante:
- FDN8601
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
2,36 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 20 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
- Mais 350 unidade(s) para enviar a partir do dia 14 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,472 € | 2,36 € |
| 50 - 95 | 0,406 € | 2,03 € |
| 100 - 495 | 0,352 € | 1,76 € |
| 500 - 995 | 0,31 € | 1,55 € |
| 1000 + | 0,284 € | 1,42 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 759-9651
- Referência do fabricante:
- FDN8601
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 183mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 1.4mm | |
| Altura | 0.94mm | |
| Anchura | 2.92mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 183mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 1.4mm | ||
Altura 0.94mm | ||
Anchura 2.92mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 2.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 2.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDN359AN, VDSS 30 V, ID 2.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 2.7 A, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDC6305N, VDSS 20 V, ID 2.7 A, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 2.7 A, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal FDC6327C, VDSS 20 V, ID 2.7 A, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 2.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines