MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 100 V, ID 190 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
166-1262
Referência do fabricante:
BST82,215
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

190mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

BST82

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

830mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión directa Vf

-1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Anchura

1.4 mm

Longitud

3mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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