MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 165-7698
- Referência do fabricante:
- BSP320SH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
279,00 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,279 € | 279,00 € |
| 2000 - 4000 | 0,265 € | 265,00 € |
| 5000 + | 0,256 € | 256,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 165-7698
- Referência do fabricante:
- BSP320SH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 120mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Tensión directa Vf | 0.95V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.5mm | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 1.6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 120mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Tensión directa Vf 0.95V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.5mm | ||
Longitud 6.5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 1.6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP320SH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSP613PH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTF5P03T3G, VDSS 30 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 55 V, ID 5 A, SOT-223
- MOSFET Infineon IRLL024ZTRPBF, VDSS 55 V, ID 5 A, SOT-223
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 5.2 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
