MOSFET, N-Canal Vishay SI7456DDP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 27.8 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
165-7065
Referência do fabricante:
SI7456DDP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

27.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

Si7456DDP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.031Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

35.7W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

Lead (Pb)-Free

Longitud

6.25mm

Anchura

5.26mm

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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