MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SI7164DP-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 787-9529
- Referência do fabricante:
- SI7164DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
3,72 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 2933 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 3,72 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 787-9529
- Referência do fabricante:
- SI7164DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | Si7164DP | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00625Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 49.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.26 mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie Si7164DP | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00625Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 49.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.26 mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Longitud 6.25mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR1309DP-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 65.7 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRA10DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 65.7 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI7456DDP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 27.8 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI7149ADP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 50 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR4604DP-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 49.3 A, Reducción, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR4608DP-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 42.8 A, Reducción, PowerPAK SO-8 de 8 pines