MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD13NM60N, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-952
- Referência do fabricante:
- STD13NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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*preço indicativo
- Código RS:
- 151-952
- Referência do fabricante:
- STD13NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh II | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.36Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 27nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Anchura | 6.6 mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie MDmesh II | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.36Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 27nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 10.1mm | ||
Anchura 6.6 mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MDmesh de segunda generación. Este revolucionario MOSFET de potencia asocia una estructura vertical con el diseño de tira de la empresa para producir una de las cargas de resistencia y puerta más bajas del mundo. Por lo tanto, es adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
100 % a prueba de avalancha
Capacitancia de entrada baja y carga de puerta
Resistencia de entrada de puerta baja
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