MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 3.6 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

42,70 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 13 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
50 - 500,854 €42,70 €
100 - 2000,802 €40,10 €
250 - 4500,726 €36,30 €
500 - 12000,683 €34,15 €
1250 +0,64 €32,00 €

*preço indicativo

Código RS:
165-6093
Referência do fabricante:
SIHFBC30AS-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-263

Serie

SiHFBC30AS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.2Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

74W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.67mm

Altura

4.83mm

Anchura

9.65 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados