MOSFET, N-Canal Vishay SIHFBC30AS-GE3, VDSS 600 V, ID 3.6 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
165-6093
Referência do fabricante:
SIHFBC30AS-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SiHFBC30AS

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.2Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

74W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30V, +30V

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.83mm

Anchura

9.65mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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