MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

5 748,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 08 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +1,916 €5 748,00 €

*preço indicativo

Código RS:
204-7245
Referência do fabricante:
SIHB125N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-263

Serie

SiHB125N60EF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.06mm

Anchura

9.65 mm

Longitud

14.61mm

Estándar de automoción

No

El Vishay serie EF MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido tiene una tecnología de la serie E de 4th generación. Ha reducido las pérdidas de conducción y conmutación.

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Links relacionados

Recently viewed