MOSFET, N-Canal Vishay SIHF630STRL-GE3, VDSS 200 V, ID 9 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
165-5995
Referência do fabricante:
SIHF630STRL-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-263

Serie

SiHF630S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

400mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

74W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43nC

Tensión directa Vf

2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65mm

Altura

4.83mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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