MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 6.2 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
165-5933
Referência do fabricante:
IRF7241TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

70mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

53nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 6,2A, disipación de potencia máxima de 2,5W - IRF7241TRPBF


Este MOSFET está diseñado para la gestión eficaz de la energía en circuitos electrónicos. Con una configuración de canal P y una capacidad de corriente de drenaje continua de 6,2 A, es adecuado para diversas aplicaciones. El funcionamiento en modo de mejora aumenta aún más su adaptabilidad a distintos dispositivos electrónicos, lo que lo convierte en un componente esencial en la automatización y los sistemas eléctricos.

Características y ventajas


• Admite una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V para ofrecer un gran rendimiento

• La baja resistencia a la conexión de 70mΩ mejora la eficiencia y minimiza la generación de calor

• Soporta una temperatura máxima de funcionamiento de +150°C

• La amplia gama de tensiones de puerta permite una integración flexible en el diseño

• La configuración de un solo transistor simplifica el diseño del circuito y ahorra espacio

• La carga típica de puerta de 53nC a 10V permite una conmutación rápida

Aplicaciones


• Utilizados en sistemas de gestión de la energía para la automatización

• Apropiado para conducir cargas en electrónica de consumo

• Empleado en circuitos de conversión y regulación de potencia

• Incorporado a varias industrias eléctricas

• Integrado en sistemas de control de motores y automatización industrial

¿Cuál es el significado de la baja medición de RDS(on)?


Una medición RDS(on) baja indica menores pérdidas de potencia durante el funcionamiento, lo que se traduce en una mayor eficiencia y una menor generación de calor.

¿Cómo afecta la tensión máxima puerta-fuente al rendimiento?


El rango máximo de tensión puerta-fuente permite una mayor compatibilidad con diferentes circuitos controladores, garantizando una conmutación fiable en diversas condiciones de funcionamiento.

¿Qué precauciones deben tomarse durante la instalación?


Garantice una gestión térmica adecuada y compruebe que las condiciones de funcionamiento se mantienen dentro de los valores nominales máximos especificados, en particular para la tensión y la temperatura.

¿Cómo afecta el comportamiento del modo de mejora al diseño de circuitos?


El funcionamiento en modo de mejora significa que el transistor está apagado a tensión de puerta cero, lo que se traduce en un menor consumo de energía durante el modo de espera y mejora la fiabilidad general del circuito.

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