MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF7241TRPBF, VDSS 40 V, ID 6.2 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Código RS:: 826-8844
Referência do fabricante:: IRF7241TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF7241TRPBF, VDSS 40 V, ID 6.2 A, Mejora, SOIC de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*

10,88 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

Últimas unidades em stock

Última(s) 40 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição

Unidad(es)	Por unidade	Por Embalagem*
20 - 80	0,544 €	10,88 €
100 - 180	0,424 €	8,48 €
200 - 480	0,397 €	7,94 €
500 - 980	0,37 €	7,40 €
1000 +	0,343 €	6,86 €

*preço indicativo

Código RS:: 826-8844
Referência do fabricante:: IRF7241TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	70mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	53nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	2.5W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	5mm
	Anchura	4 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.5mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Serie HEXFET
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 70mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf -1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 2.5W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 5mm
	Anchura 4 mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.5mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 6,2A, disipación de potencia máxima de 2,5W - IRF7241TRPBF

Este MOSFET está diseñado para la gestión eficaz de la energía en circuitos electrónicos. Con una configuración de canal P y una capacidad de corriente de drenaje continua de 6,2 A, es adecuado para diversas aplicaciones. El funcionamiento en modo de mejora aumenta aún más su adaptabilidad a distintos dispositivos electrónicos, lo que lo convierte en un componente esencial en la automatización y los sistemas eléctricos.

Características y ventajas

• Admite una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V para ofrecer un gran rendimiento

• La baja resistencia a la conexión de 70mΩ mejora la eficiencia y minimiza la generación de calor

• Soporta una temperatura máxima de funcionamiento de +150°C

• La amplia gama de tensiones de puerta permite una integración flexible en el diseño

• La configuración de un solo transistor simplifica el diseño del circuito y ahorra espacio

• La carga típica de puerta de 53nC a 10V permite una conmutación rápida

Aplicaciones

• Utilizados en sistemas de gestión de la energía para la automatización

• Apropiado para conducir cargas en electrónica de consumo

• Empleado en circuitos de conversión y regulación de potencia

• Incorporado a varias industrias eléctricas

• Integrado en sistemas de control de motores y automatización industrial

¿Cuál es el significado de la baja medición de RDS(on)?

Una medición RDS(on) baja indica menores pérdidas de potencia durante el funcionamiento, lo que se traduce en una mayor eficiencia y una menor generación de calor.

¿Cómo afecta la tensión máxima puerta-fuente al rendimiento?

El rango máximo de tensión puerta-fuente permite una mayor compatibilidad con diferentes circuitos controladores, garantizando una conmutación fiable en diversas condiciones de funcionamiento.

¿Qué precauciones deben tomarse durante la instalación?

Garantice una gestión térmica adecuada y compruebe que las condiciones de funcionamiento se mantienen dentro de los valores nominales máximos especificados, en particular para la tensión y la temperatura.

¿Cómo afecta el comportamiento del modo de mejora al diseño de circuitos?

El funcionamiento en modo de mejora significa que el transistor está apagado a tensión de puerta cero, lo que se traduce en un menor consumo de energía durante el modo de espera y mejora la fiabilidad general del circuito.